。通过在很宽的频率范围内扫描，可以得到一个描述系统阻抗与频率关系的频谱图，即电化学阻抗谱。

　　电化学体系对交变电流的总阻碍，以复数形式（Z= Z’+ jZ″）表示，实部Z’反映欧姆电阻（电解质、电极、导线）和电荷转移电阻（反应动力学），虚部jZ″反映容抗（界面双电层）或感抗，单位Ω cm²。与纯电阻不同，其数值随频率动态变化，且包含相位信息。

　　体系存储电荷的能力，核心关联电极–电解质界面双电层（Cdl）或薄膜介电特性，理想电容在Nyquist图中表现为半圆，实际体系因非理想性需用常相位元件（CPE）描述，需通过参数转换获得有效电容（Ceff），单位μF cm⁻²。

　　反应物/产物在电解质中的迁移行为，对应EIS中的Warburg阻抗（Zw），反映传质速率限制，其是多步电化学过程的关键限速步骤之一。

　　EIS曲线的阻抗、电容、扩散参数，分别对应电化学系统的电荷传输能力、界面结构特性及质量传输效率，三者的组合分析能完整勾勒系统的动态行为。

　　阻抗：直接反映体系总阻力，比如电池的内阻、腐蚀体系的反应阻力，是评估性能的核心指标。

　　电容：关联界面完整性，比如电极表面成膜会导致Cdl变化（例如铂电极浸泡后Ceff从14.4μF cm⁻²升至21.4μF cm⁻²，对应表面膜形成）。

　　扩散：揭示传质限制，比如电池高倍率放电时的容量衰减、生物传感器的检测灵敏度，均与扩散速率直接相关。

　　以锂电池为例：SEI膜生长会导致Re和Rt增大，Cd减小；锂离子扩散受阻会使低频区Warburg阻抗斜率偏离45°，这些变化可提前预警电池衰减。

　　ω=2πf（f为频率），ϕ为相位角（反映电流与电压的相位差）。Nyquist图中实部Z’-虚部jZ″的轨迹直接对应不同频率下的阻抗特性。高频区反映电解质欧姆电阻（Rs）；中频区半圆直径对应电荷转移电阻（Rct），直接关联电极反应动力学；低频区反映扩散表现为斜线。

　　fc是Nyquist图高频半圆顶点对应的频率，Re是欧姆电阻，可直接从高频截距读取。

　　Q和α是CPE的拟合参数，α=1时退化为理想电容，Rt是电荷转移电阻，CPE是解决非理想电容的关键，如多孔电极、表面不均匀体系。

　　半无限扩散：电解液体积足够大，扩散无边界限制，Nyquist图表现为低频区45°直线。

　　ω为角频率，σ为Warbur系数，与扩散系数D成反比，45°线的斜率反映扩散阻力大小，斜率越大扩散越慢。

　　中频区：半圆的直径=电荷转移电阻Rt（反映电极反应难易，直径越大反应越慢）。

　　低频区：若为直线，对应扩散控制；若为圆弧，可能是有限扩散或二次界面反应。

　　相位角ϕ：高频区ϕ→0°（纯电阻），中频区ϕ→-90°（纯电容），若出现-45°平台，对应扩散控制（Warburg区）。

　　理想电容：在Nyquist图上表现为一条垂直于横轴的直线。这是因为其阻抗实部为0，只有虚部。

　　RC并联电路（Randles模型）：这是最经典的电化学界面模型，其Nyquist图是一个标准的半圆形。半圆的顶点频率（fmax）：半圆最高点对应的频率满足关系ωmax=1/(Rct·Cdl)。因此，一旦从图中读出Rct和fmax，就可以计算出双电层电容Cdl。

　　CPE的影响：当系统中存在CPE时，Nyquist图中的半圆会变成一个压扁的或下沉的半圆。半圆的圆心会沉降到横轴下方，压扁的程度与n值相关，n值越小，半圆越扁。

　　Bode模量图（logZ vs. logf）：在一个由电容主导的频率区间，logZ vs. logf图会呈现一条斜率为-1的直线。通过这条斜率为-1的直线，可以估算电容值。

　　Bode相位角图（φvs. logf）：理想电容：相位角在所有频率下都恒为-90°。

　　RC并联电路：相位角会呈现一个V形或U形的峰。在极高频和极低频时，电阻行为占主导，相位角趋近于0°。在中间频率，电容效应最显著，相位角趋近于-90°。

　　CPE的影响：相位角的峰值将不会达到-90°，而是达到一个与n值相关的最大值。

　　相位角曲线：在低频区，通常，相位角趋近于-45°半无限扩散；或-90°有限扩散。

　　多体系区分：电解质扩散与固相扩散在Bode图中可通过相位角拐点分离，例如：电解质扩散主导频率：10-100mHz；固相扩散主导频率：。